فیلمهای الماس که به روش DCHFCVD بر روی زیر لایه Si به دست آمده اند در دماهای مختلف زیر لایه، زمانهای متفاوت هسته بندی و نیز فاصله های متغیر بین فیلمان و زیر لایه مورد بررسی قرار گرفته اند.آنالیز های میکروسکوپ الکترونی و رامان نشان داده اند که هنگامی که دمای زیر لایه از 600oC تا 800oC تغییر می کند، در چگالی هسته بندی و نیز در کیفیت فیلمهای الماس بدست آمده، تفاوت محسوسی مشاهده نمی شود در حالی که تفاوت ناشی از تغییرات فاصله و زمان هسته بندی کاملا محسوس می باشد در این مقاله همچنین اشاره شده است که امکان بهبود کیفیت فیلمهای الماس بر اثر بمباران یونهای هیدروژن وجود دارد.